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DMNH6012SPS-13  与  BSC110N06NS3 G  区别

型号 DMNH6012SPS-13 BSC110N06NS3 G
唯样编号 A-DMNH6012SPS-13 A-BSC110N06NS3 G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9mΩ
上升时间 - 77ns
Qg-栅极电荷 - 33nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1926 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 25S
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 35.2 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 -
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 50A(Tc) 50A
配置 - Single
长度 - 5.9mm
下降时间 - 6ns
高度 - 1.27mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.6W(Ta) 50W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 11mΩ@50A,10V -
典型关闭延迟时间 - 14ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
驱动电压 10V -
典型接通延迟时间 - 10ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH6012SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.6W(Ta) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 60V 50A(Tc)

暂无价格 0 当前型号
RS1L145GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

14.5A(Ta),47A(Tc) N-Channel 2.7V@200uA 3W(Ta) 8-HSOP 150℃(TJ) 60V

¥11.6427 

阶梯数 价格
20: ¥11.6427
50: ¥7.1102
100: ¥6.5448
500: ¥6.1615
1,000: ¥6.0849
1,198 对比
BSC110N06NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC110N06NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC110N06NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC110N06NS3GATMA1_60V 50A 9mΩ 20V 50W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
DMNH6012SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

PowerDI5060-8 车规

暂无价格 0 对比
BSZ100N06NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ100N06NS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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